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VERDI

VERDI

Vias de haute densité et report de puces pour intégration 3D

Terminé

Type de projet

FUI 6

Porteur de projet

STMicroelectronics Grenoble

Partenaires

Pfeiffer Vacuum SAS, Air Liquide Electronics Systems, Leti

Partenaires non-membres

IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique Electromagnétisme et Photonique et le LAboratoire d'Hyperfréquences et de Caractérisation

Enjeux

L'industrie du semiconducteur va s'orienter vers une ère de fusion des technologies qui offrira des possibilités exceptionnelles s'appuyant sur les techniques d'intégration 3D pour les circuits fortement intégrés sur silicium. L'intégration 3D se révèle donc une alternative indispensable aux approches conventionnelles, qui atteignent leurs limites en terme de performance, diversification des fonctionnalités et coût de réalisation. Le projet Verdi vise au développement des solutions technologiques destinées à l'implémentation de circuits 3D : technologies de réalisation de vias traversants à haute densité, de collage et d'amincissement des substrats sur des plaques de 300 mm en technologie 65 nm ou plus avancée.

Objectifs

Verdi vise au développement des procédés de réalisation des vias traversants à haut facteur de forme, notamment leur gravure et métallisation, pour des technologies 300 mm. La densité visée pour ces vias impose le passage à des procédés nouveaux, tels que la gravure profonde d'empilements hétérogènes ou le greffage réalisé par voie humide. Combinées aux procédés de collage et d'amincissement, ces techniques constitueront une solution technologique capable d'adresser les besoins en performances des futures applications mobiles. En effet, l'intégration 3D permettra la réalisation de circuits multifonctions à haute performance, rassemblant toutes les fonctionnalités d'un ordinateur, telles qu'elles seront embarquées dans les futures générations de téléphones portables.

Projet infos page d'un projet

Investissement

11,394 K€

Durée

27 mois

Total effort

53,8 homme(s)/an