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SUBSTRAT AVANCE POUR HB LEDS

SUBSTRAT AVANCE POUR HB LEDS

Substrat avancé semiconducteur GaN de très haute performance servant l'industrie de fabrication des LEDs d'ultra Haute Brillance

Le produit

Le descriptif commercial du produit : Substrats avancés semiconducteurs GaN de très haute performance servant l'industrie de fabrication des LEDs d'ultra Haute Brillance - L'innovation développée pour le produit : Technologie de transfert de films minces de GaN de très haute qualité sur des substrats adaptés à la fabrication des LEDs (Qualité / Coût) - L'avantage concurrentiel du produit : Différentiation par la densité de lumière au mm² ouvrant la voie à de nouvelles applications et de nouvelles esthétiques. - Le marché : Marché des LED et des luminaires de haute performance / Haut de gamme (éclairage général - intérieur, public - Automobile, électronique grand public, projecteurs vidéo...) - Les cibles : Fabricants de LEDs Haut de gamme. Développement d'une offre éclairage Soitec qui saura exploiter le potentiel des produits issus de ces Substrats.

L'histoire du produit

2005 : Premiers travaux de R&D pour l'élaboration et le transfert de films GaN - Financés sur fonds propres Soitec. 2006 - 2011 : Programme Nanosmart en partenariat avec le CEA-Leti visant à développer les substrats avancés pour l'éclairage à base de GaN. 2012 : Programme d'Investissement d'avenir pour la poursuite des travaux de R&D. 2013 : Accords de licence pour la technologie avec SUMITOMO Electric 2013 : Développement d'une offre éclairage Soitec Lighting..
Investissement plus de 30 millions d'euros (depuis le démarrage de Nanosmart)
Emplois créés Environ 50 emplois
Brevets déposés 150 brevets déposés
Chiffre d'affaire généré NC
Délai de mise sur le marché 8 ans

La société : Soitec

Créée en 1992, Soitec est une entreprise visant à industrialiser une innovation technologique sans précédent, destinée à l’industrie microélectronique.

En moins d’une décennie, Soitec s’est hissée au premier rang mondial des fournisseurs de l’industrie microélectronique avec le développement et l’industrialisation d’un matériau innovant : le SOI (silicium sur isolant) qui entre dans la fabrication des puces électroniques.

Date de création 1992
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