Descriptif du poste

Stage de recherche master M2 en micro-nano-électronique :
Notre objectif est de concevoir des photodiodes à avalanche à photon unique fonctionnant dans le proche infrarouge et compatibles avec les structures CMOS standards. Il est étudié au sein de l’INL une architecture de SPAD intégrant une hétérostructure silicium/ matériau III-V.
L’objectif du stage sera de travailler sur la simulation et la modélisation de cette architecture, dans le but de proposer des idées d’amélioration des futures architectures fabriquées.

Dans le détail, après avoir établi un état de l’art et pris connaissance des compétences et moyens disponibles dans le laboratoire INL et les laboratoires partenaires, les objectifs seront les suivants :

• Prendre en main le logiciel TCAD, afin de poursuivre le développement d’une simulation de l’architecture de SPAD comportant une hétérostructure silicium/matériau III-V ;
• Proposer des nouvelles architectures en identifiant les difficultés technologiques et les limites ;
• Proposer des pistes d’amélioration des architectures choisies, basées sur des études paramétriques des architectures simulées ;
• Étudier les possibilités offertes par la simulation TCAD dans la prise en compte de phénomènes physiques au niveau de l’interface silicium/matériau III-V, et les incorporer si nécessaire dans la simulation de l’architecture.